1. FGPF45N45TTU
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厂商型号

FGPF45N45TTU 

产品描述

IGBT Transistors 450V 45A PDP Trench

内部编号

3-FGPF45N45TTU

#1

数量:5374
1+¥11.1722
25+¥10.3247
100+¥9.9395
500+¥9.5542
1000+¥9.0919
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:0
最小起订量:1
美国费城
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FGPF45N45TTU产品详细规格

规格书 FGPF45N45TTU datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 50
IGBT 型 Trench
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 450V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 20A
- 集电极电流(Ic)(最大) -
功率 - 最大 51.6W
Input 型 Standard
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3 Full Pack
供应商器件封装 TO-220F
包装材料 Tube
供应商封装形式 TO-220F
最大栅极发射极电压 ±30
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
包装宽度 4.9(Max)
标准包装名称 TO-220F
包装高度 16.07(Max)
安装 Through Hole
最大功率耗散 51600
渠道类型 N
封装 Rail
最大集电极发射极电压 450
标签 Tab
PCB 3
包装长度 10.36(Max)
最低工作温度 -55
引脚数 3
铅形状 Through Hole
栅极电荷 100nC
安装类型 Through Hole
标准包装 50
时间Td(开/关) @ 25°C 26ns/170ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 1.5V @ 15V, 20A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 450V
供应商设备封装 TO-220F
功率 - 最大 51.6W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-220-3 Full Pack
IGBT类型 Trench
测试条件 200V, 45A, 10 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 180A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 50
产品种类 IGBT Transistors
集电极 - 发射极最大电压VCEO 450 V
安装风格 Through Hole
最大栅极发射极电压 +/- 30 V
最低工作温度 - 55 C
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
输入类型 Standard
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 180A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) 1.5V @ 15V, 20A
封装/外壳 TO-220-3 Full Pack
闸极电荷 100nC
功率 - 最大值 51.6W
IGBT 类型 Trench
电压 - 集射极击穿(最大值) 450V

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    010-82149488
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    0512-67687578
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    0512-67483580
    0512-67683728
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